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由于下游各細分應用市場需求的快速增長，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費國。根據賽迪顧問統計，2009年我國功率半導體器件市場規模已達到1215.3億元，2005年到2009年市場復合增長率達到22.42％。IGBT市場規模占功率器件總市場規模比例為7.05％，目前市場還處于起步階段，應用還不是很多，但由于IGBT代表了未來功率器件的技術趨勢，發展速度很快。未來受益于變頻器產業、變頻家電產業以及軌道交通產業的大力推動，我們認為國內IGBT市場增長空間非常大，預計2011年市場規模將達到60.2億元，增速達到30％。

市場增長空間廣闊，具有技術優勢的企業將脫穎而出

IGBT是目前發展最為迅速的新一代功率器件。

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優點，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發展最為迅速的新一代功率器件。

由于下游各細分應用市場需求的快速增長，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費國。根據賽迪顧問統計，2009年我國功率半導體器件市場規模已達到1215.3億元，2005年到2009年市場復合增長率達到22.42％。IGBT市場規模占功率器件總市場規模比例為7.05％，目前市場還處于起步階段，應用還不是很多，但由于IGBT代表了未來功率器件的技術趨勢，發展速度很快。未來受益于變頻器產業、變頻家電產業以及軌道交通產業的大力推動，我們認為國內IGBT市場增長空間非常大，預計2011年市場規模將達到60.2億元，增速達到30％。

目前國內IGBT市場仍主要由外資企業所把控，前十大的廠商主要是歐美、日本以及臺灣的廠商，包括 Fairchild、ST、IR、ONSemiconductor、NS、NXP、Infineon、Toshiba以及Renesas。我國企業在技術、設備以及人才等各方面與國外企業的差距都非常大，在芯片設計、芯片制造、模塊封裝以及單管封裝等IGBT產品生產環節都有非常大的提升空間。

我們認為國內IGBT產業正處于起步階段，企業在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環節的技術積累都比較少；而相對于國內產業技術的弱勢，國內IGBT市場需求卻正快速增長，目前已成為全球最大的IGBT消費市場。這意味著國內企業未來的發展方向是提升進口替代實力，以技術實力、價格優勢和客戶優勢搶占市場份額，而這里面技術實力是最為關鍵的因素，能夠提供滿足客戶技術需求的企業將率先脫穎而出，享受行業增長的盛宴。

另一方面，功率器件的供貨認證過程需時較長，通常客戶一旦認可上游供應商，便不會輕易變動，合作關系比較穩定。所以我們認為IGBT產業的投資價值最直接體現在能夠首先突破技術瓶頸實現量產的能力，這也是我們評估企業投資價值的標準。